Herstellung Spannungsrelaxierter und texturierter Diamantfilme auf porösem Silizium
für die elektronische Anwendung
Dr. rer. nat. Ralf Spitzl, Dr.-Ing. Vadim Raiko
Inhalt des Projektes war die Herstellung spannungsrelaxierter und texturierter
Diamantfilme auf porösem Silizium für die elektronische Anwendung. Ziel des Projektes
war es, Schichten auf Silizium herzustellen, die eine möglichst hohe Textur oder sogar
eine heteroepitaktische Struktur aufweisen.
Die wesentlichen Ergebnisse des Projektes waren:
- Die Keimdichte läßt sich beim Wachstum von Diamant auf porösem Silizium um bis zu
einen Faktor 100 gegenüber herkömmlichen Si-Substraten erhöhen.
- Die Schichtspannung läßt sich beim Wachstum von Diamant auf porösem Silizium
gegenüber herkömmlichen Si-Substraten beeinflussen und insbesondere minimieren. Dadurch
ist es möglich, extrem spannungsarme Schichten aufzuwachsen.
- Die Schichttextur läßt sich beim Wachstum von Diamant auf porösem Silizium gegenüber
herkömmlichen Si-Substraten erhöhen. Die Deposition stark (100)-texturierter Schichten
ist möglich.
- Das Wachstum heteroepitaktische Diamantschichten auf porösen Si-Substraten ist bisher
nicht möglich.
Schlagworte: Diamantschichten, poröses Silizium, Texturierung, Plasma-CVD
Laufzeit: 7/1993 – 6/1997
Drittmittelgeber: DFG
Publikationen:
- V. Raiko, R. Spitzl, J. Engemann, V. Borisenko, V. Bondarenko; MPCVD diamond deposition
on porous silicon pretreated with the bias method; Diamond and Related Materials 5,
1063-1069 (1996)
- V. Raiko, R. Spitzl, D. Theirich und J. Engemann; Diamond Nucleation on Bias Pretreated
Porous Silicon; Proceedings TATF 96, Colmar, pp. 264-266 (April 1996)
- R. Spitzl, V. Raiko, R. Heiderhoff, H. Gnaser und J. Engemann; MPCVD diamond deposition
on bias pretreated porous silicon; Diamond and Related Materials 4, 563-568 (1995)
- R. Spitzl, V. Raiko und J. Engemann; Diamond Deposition on Porous Silicon by
Plasma-Assisted CVD; Diamond an Related Materials 3, 1256-1261 (1994)
Diplomarbeiten:
- Untersuchungen zur Biasbekeimung von Silizium und porösen Siliziumsubstraten für die
Diamantschichtabscheidung mittels MPCVD, Oktay Gürda (1993)